Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе GaN
Аннотации
Получены аналитические соотношения для вольтамперных характеристик гетеропереходных
транзисторов на основе нитрида кремния. Формулы отражают зависимость ВАХ от толщины барь-
ерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Проведено сравнение формульных ВАХ с полученны-
ми на основе численного моделирования.