Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе GaN

Abstract

Получены аналитические соотношения для вольтамперных характеристик гетеропереходных транзисторов на основе нитрида кремния. Формулы отражают зависимость ВАХ от толщины барь- ерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Проведено сравнение формульных ВАХ с полученны- ми на основе численного моделирования.