Показать сокращенную информацию
Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе GaN
| dc.contributor.author | Ворсин, Н. Н. | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, А. А. | |
| dc.contributor.author | Тарасюк, Н. П. | |
| dc.contributor.author | Чугунов, С.В. | |
| dc.date.accessioned | 2020-10-01T07:10:53Z | |
| dc.date.available | 2020-10-01T07:10:53Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе GaN / Н. Н. Ворсин [и др.] // Веснік Брэсцкага універсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка – 2018. – № 2. – С. 26–31. | ru_RU |
| dc.identifier.issn | 2218-0303 | |
| dc.identifier.uri | http://rep.brsu.by:80/handle/123456789/2349 | |
| dc.description.abstract | Получены аналитические соотношения для вольтамперных характеристик гетеропереходных транзисторов на основе нитрида кремния. Формулы отражают зависимость ВАХ от толщины барь- ерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Проведено сравнение формульных ВАХ с полученны- ми на основе численного моделирования. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГУ имени А.С. Пушкина | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Серыя 4. Фізіка. Матэматыка; | |
| dc.title | Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе GaN | ru_RU |
| dc.title.alternative | Analytical Relations for the IVC of HEMT Based on Gan | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
