МОДЕЛИРОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ALGAN P-I-N ФОТОДИОДОВ

Abstract

Тройные сплавы AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ весьма перспективны для фотоприемных устройств УФ диапазона длин волн. С помощью программного обеспечения Comsol на основе AlxGax-1N разработана модель p-i-n фотодиода, включая его ВАХ, спектральную чувствитель- ность принимаемого излучения и коэффициента поглощения как функции доли алюминия и толщины обедненного слоя. Пиковая чувствительность фотодиода составляет от 0,08 до 0,18 A/Вт при длинах волн 0,2–0,33 мкм. Это соответствует экспериментальным результатам, взятым из литературы.