Показать сокращенную информацию
МОДЕЛИРОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ALGAN P-I-N ФОТОДИОДОВ
| dc.contributor.author | Ворсин, Н. Н. | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, А. А. | |
| dc.contributor.author | Кушнер, Т. Л. | |
| dc.contributor.author | Тарасюк, Н. П. | |
| dc.contributor.author | Чугунов, С. В. | |
| dc.date.accessioned | 2020-10-01T07:36:08Z | |
| dc.date.available | 2020-10-01T07:36:08Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Ворсин, Н. Н. Гладыщук, А. А. Кушнер, Т. Л. Тарасюк, Н. П. Чугунов, С. В. МОДЕЛИРОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ALGAN P-I-N ФОТОДИОДОВ / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер, Н. П. Тарасюк, С. В. Чугунов // Веснік Брэсцкага універсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка – 2020. – № 1. – С. 5 - 14. | ru_RU |
| dc.identifier.issn | 2218-0303 | |
| dc.identifier.uri | http://rep.brsu.by:80/handle/123456789/2375 | |
| dc.description.abstract | Тройные сплавы AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ весьма перспективны для фотоприемных устройств УФ диапазона длин волн. С помощью программного обеспечения Comsol на основе AlxGax-1N разработана модель p-i-n фотодиода, включая его ВАХ, спектральную чувствитель- ность принимаемого излучения и коэффициента поглощения как функции доли алюминия и толщины обедненного слоя. Пиковая чувствительность фотодиода составляет от 0,08 до 0,18 A/Вт при длинах волн 0,2–0,33 мкм. Это соответствует экспериментальным результатам, взятым из литературы. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГУ имени А.С. Пушкина | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Серыя 4. Фізіка. Матэматыка; | |
| dc.title | МОДЕЛИРОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ALGAN P-I-N ФОТОДИОДОВ | ru_RU |
| dc.title.alternative | Modelling and Development of AlGaN p-i-n-Photodiodes | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
