ИЗМЕНЕНИЕ КОМПОНЕНТОВ ОБРАТНОГО ТЕНЗОРА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ КРИСТАЛЛА Bi12TiO20 ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА

Abstract

Изучено изменение компонентов обратного тензора диэлектрической проницаемости кубиче- ских фоторефрактивных кристаллов класса симметрии 23 под действием электрического поля про- странственного заряда объемной голографической решетки. При расчетах принимались во внимание первичный и вторичный электрооптические эффекты. Построены поверхности нормальной составля- ющей обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла Bi12TiO20 для типичных ориента- ций вектора напряженности электрического поля пространственного заряда в кристаллографической системе координат, используемых при записи голографических решеток. Получены сечения поверхно- стей и определены кристаллографические направления, вдоль которых достигаются экстремальные значения нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости. Показано, что при фиксированном направлении вектора напряженности электрического поля пространственного заряда вторичный электрооптический эффект может обусловливать как увеличение, так и уменьше- ние нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости.