Показать сокращенную информацию

dc.contributor.authorКостко, В. С.
dc.date.accessioned2020-10-07T12:05:12Z
dc.date.available2020-10-07T12:05:12Z
dc.date.issued2008
dc.identifier.citationКостко, В. С. Определение глубины рельефного изображения в светочувствительной системе полупроводник – металл / В. С. Костко // Веснік Брэсцкага універсітэта. Серыя прыродазнаўчых навук. Матэматыка. Фізіка. Хімія. Біялогія. Навукі аб зямлі. - 2008. - № 2 (31). - С. 45 - 48.ru_RU
dc.identifier.issn1814–0971
dc.identifier.urihttp://rep.brsu.by:80/handle/123456789/2737
dc.descriptionThe method which will help to find practical usage of indirect determination of the depth of relief metal picture, formed in photosensitive system of semiconductor-metal-dielectric, based on the measurement of electric resistance and linear sizes (length and width) of metal layer in electronic industry, computer engineering, optic techniques, lithography.ru_RU
dc.description.abstractПредлагается способ, который может найти практическое применение в электронной промышленности, вычислительной технике, оптотехнике, литографии, косвенного определения глубины рельефного металлического изображения, образованного в светочувствительной системе полупроводник – металл – диэлектрик, основанный на измерении электрического сопротивления и линейных размеров (длины и ширины) металлического слоя.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБрГУ имени А. С. Пушкинаru_RU
dc.relation.ispartofseriesСерыя прыродазнаўчых навук. Матэматыка. Фізіка. Хімія. Біялогія. Навукі аб зямлі;
dc.titleОпределение глубины рельефного изображения в светочувствительной системе полупроводник – металлru_RU
dc.title.alternativeThe Determination of Relief Picture Depth in Photosensitive System of Semiconductor-metalru_RU
dc.typeArticleru_RU


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию