Просмотр по автору "Тарасюк, Н. П."
Отображаемые элементы 1-2 из 2
-
Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе GaN
Ворсин, Н. Н.; Гладыщук, А. А.; Тарасюк, Н. П.; Чугунов, С.В. (БрГУ имени А.С. Пушкина, 2018)Получены аналитические соотношения для вольтамперных характеристик гетеропереходных транзисторов на основе нитрида кремния. Формулы отражают зависимость ВАХ от толщины барь- ерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в ...2020-10-01 -
МОДЕЛИРОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ALGAN P-I-N ФОТОДИОДОВ
Ворсин, Н. Н.; Гладыщук, А. А.; Кушнер, Т. Л.; Тарасюк, Н. П.; Чугунов, С. В. (БрГУ имени А.С. Пушкина, 2020)Тройные сплавы AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ весьма перспективны для фотоприемных устройств УФ диапазона длин волн. С помощью программного обеспечения Comsol на основе AlxGax-1N разработана модель ...2020-10-01